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技術(shù)說明
發(fā)布時(shí)間：2021-11-02 欄目行業(yè)：常見問題 瀏覽次數(shù)：
Q:技術(shù)說明
A:將電阻 (R1) 連接到該器件的輸入時(shí)，輸入電壓僅通過 [器件的消耗電流] x [電阻值]來降低。
并且，當(dāng)從檢測狀態(tài)變?yōu)獒尫艩顟B(tài)時(shí)發(fā)生交叉?zhèn)鲗?dǎo)電流*1，僅通過 [交叉?zhèn)鲗?dǎo)電流] x [電阻值] 降低輸入電壓。如果輸入電壓降低大于檢測器電壓和釋放電壓之間的差值，則該器件將進(jìn)入重新檢測狀態(tài) 。
當(dāng)輸入電阻值大并且VDD在釋放電壓附近穩(wěn)定上升時(shí)，重復(fù)上述操作可能導(dǎo)致輸出的發(fā)生。
如圖A / B所示，將R1設(shè)置為100 kΩ或更低，并將0.1 μF以上的CIN連接到輸入引腳和GND之間。
此外，使用這樣的評估板，在實(shí)際使用條件下進(jìn)行包括溫度特性的評估。 可確保交叉?zhèn)鲗?dǎo)電流沒有問題。
*1)在CMOS輸出類型中，包括OUT引腳的充電電流
*2)注意電容器的偏置依賴性
電壓檢測器（復(fù)位芯片）
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